市场研究机构CoughlinAssociates的最新报告预测，磁阻式随机存取记忆体(MRAM)──包含磁场感应(field-induced)以及自旋力矩转移(spin-torquetransition，STT)等形式──将在未来因为取代DRAM与SRAM而繁荣发展。
CoughlinAssociates的报告指出，因为具备省电与非挥发特性，MRAM/STTMRAM市场营收规模可望由2013年的1.9亿美元左右，到2019年成长至21亿美元;期间的复合年平均成长率(CAGR)估计为50%。
因为MRAM能以CMOS逻辑制程生产，使其适合做为嵌入式非挥发性记忆体使用;该种记忆体需要额外的磁性材料层以及专门的生产设备，与生产硬碟机内磁性读写头(magneticreadsensors)的设备类似。CoughlinAssociates估计，市场对独立MRAM元件与嵌入式MRAM的需求，将驱动MRAM制造设备市场的成长;该市场规模将由2013年的5,290万美元，在2019年成长至2.463亿美元。
除了MRAM，CoughlinAssociates的报告还讨论了相变化记忆体、电阻式记忆体(ReRAM)、铁电记忆体(FeRAM)以及碳奈米管等技术;该报告指出，ReRAM也有取代快闪记忆体的潜力，但恐怕还要再过十年才可能发生，至于MRAM取代SRAM与DRAM的情况在接下来几年就会看到，可能早于ReRAM取代快闪记忆体的时程。
更多阅读：
评论已关闭