出货表现上，第一季三大原厂皆出现季减，反映产业淡季效应，加上下游业者的库存水平已垫高，采购量明显减弱。平均销售单价方面，三大原厂延续着2023年第四季合约价上涨氛围，再加上库存仍处于健康水位，故涨价意愿强烈。其中，中系手机销售畅旺，带动Mobile DRAM的价格涨幅领先所有应用，而Consumer DRAM的原厂库存仍待去化，导致价格涨幅居所有应用之末。

TrendForce集邦咨询指出，第二季即使消费性需求减少，原厂的出货位元数仍将反映季节效应而季增；价格方面，在地震后灾损状况尚未明确厘清期间，采购心态有所改变，PC OEMs始有零星成交价格开出，涨幅高于TrendForce集邦咨询预期，预估最终DRAM合约价将上涨13-18%。

自营收角度观察，Samsung的营收微幅增加至80.5亿美元，第一季增幅仅1.3%，营收市占小幅下滑1.6个百分点至43.9%，仍维持排名第一；售价季增约20%，抵消位元出货量的中个位数季减幅度，以价补量结构明显。

排名第二的SK hynix，第一季营收微幅增加至57.0亿美元，季增幅仅2.6%，营收市占小幅下滑0.7个百分点至31.1%；售价季增约20%，抵消位元出货量的中个位数季减幅度，结构与Samsung相同。

Micron第一季营收增加至39.5亿美元，季增幅达17.8%，营收市占上升2.3个百分点至21.5%，排名第三名；售价季增约23%、同时位元出货量仅季减4-5%，表现优于前两大同业，除本季价格策略较积极外，Server DRAM出货受惠于美系大客户订单，表现相对稳健。

第二季三大原厂预估的出货量将分别为：Samsung出货量成长低个位数至高个位数幅度、SK hynix季增中个位数的幅度、Micron小幅季减。

Nanya第一季在价格回升所带动的备货动能，以及Consumer DRAM终端销售动能回升较缓等需求消长影响下，第一季出货量为低个位数的季增幅度，ASP（平均销售单价）有高个位数的季增幅度，营收季增10.5%至3.02亿美元。

Winbond第一季尚未调涨合约价格，由于客户提前备货心态，在出货端表现不俗，带动营收季增21.6%至1.62亿美元。在PSMC方面，营收计算主要为其自身生产的Consumer DRAM产品，不包含DRAM代工业务，虽产能利用率逐渐恢复，但由于部分出货以低价DRAM产品为主，加上年节生产、出货天数少等，最终第一季DRAM营收季减28.2%，来到0.28亿美元。

地震影响冲击小，预期对第二季DRAM产品合约价涨幅效果有限

TrendForce集邦咨询表示，403震后DRAM合约与现货市场同步都出现广泛性的停止报价，截至目前现货已大致恢复报价；合约价则尚未全面启动。Mobile DRAM方面，当日美光、三星通知全面停止报价，截至4月8日均没有更新表态；SK海力士（SK hynix）则在当日下午对部分智能手机客户进行报价，希望透过提前报价获取更多市占。TrendForce对于第二季Mobile DRAM合约价维持先前预期，季涨幅约3~8%。

Server DRAM方面，由于美光受地震灾损影响多集中在先进制程，故TrendForce集邦咨询仍不排除美光的Server DRAM最终成交价可能上升，后续价格走势仍待观察。HBM方面，美光大部分HBM 1beta投产与TSV产线位于日本广岛，故供给或价格方面并无变化。

现货市场方面，已经有部分模组厂如金士顿（Kingston）与威刚（ADATA）重启报价，尚未出现涨价。TrendForce集邦咨询认为，地震影响对于推升价格的效果有限。整体来看，由于DDR3库存量较少，价格尚有涨价空间，DDR4与DDR5库存相对充足，加上买气清淡，地震所造成的连日小涨格局，预期将在几天内回归正常。

PC DRAM方面，顺应新CPU机种逐渐转往DDR5的趋势，买方第二季采购量上升。随着原厂大幅转进至先进制程生产DDR5，成本优化使原厂获利明显改善，加上买方对于2024上半年DRAM涨价普遍已有预期心理，故第二季原厂仍欲拉抬价格以增加获利，预估PC DRAM第二季合约价季增约3~8%。值得注意的是，由于部分原厂第一季DDR5合约价涨幅已高于其他产品的平均值，但在AI PC需求尚未浮现下，第二季DDR5合约价涨幅将小幅收敛。

Server DRAM方面，买方仍持续增加DDR5库存，但实际渗透率至今年第一季仍不如预期，意味着DDR5需求仍未全面兑现。同时，原厂正进一步提高DDR5投片量，透过绑量的销售模式以改善获利，使DDR5合约价涨势逐渐转弱。DDR4方面，也因产能限缩后而不需压价抛售，故第二季DDR4合约价涨幅将高于DDR5，价差逐渐缩小，预估Server DRAM第二季合约价季增约3~8%。

Mobile DRAM方面，目前买方库存水位健康，但需求尚且没有明显回温迹象，故品牌第二季的议价态度被动。伴随原厂减产，以及市场自去年下半年起，延续至今年第一季的强劲需求，大幅降低原厂库存水位，改变供应端供过于求的议价劣势。由于原厂欲持续提高获利，目前释出第二季Mobile DRAM合约价涨幅目标是季增10~15%或以上，议价态度强势。然而，TrendForce集邦咨询认为，受买方议价态度被动的影响，可能会缓和卖方强势拉涨的意图，预估Mobile DRAM第二季合约价季增3~8%。

Graphics DRAM方面，受其他DRAM产品的带动，在原厂强势进入上涨周期且涨势持续的情况下，采购端备货动能延续，主流规格GDDR6 16Gb需求仍强，普遍来说采购愿意接受卖方涨幅。目前Graphics DRAM价格暂时没有松动或下跌的迹象，同时原厂将相同类别的产能纷纷转往HBM领域，故对GDDR的生产规划相对保守。此外，由于Graphics DRAM属于浅盘市场产品，后续终端产品的销售动能还需留意。为达到原厂全DRAM品项上涨的目标，预估Graphics DRAM第二季合约价将季增3~8%。

Consumer DRAM方面，仅AI相关领域需求较稳健，以及部分电视及网通应用有库存回补需求，但电信、网络招标项目进度缓慢，整体市况仍处疲弱。观察原厂定价策略有明显差异，三大原厂受惠于AI热潮，库存去化明显，故在亏损压力之下，过去两季涨价态度明确；反观其他原厂库存压力仍在，涨价相对缓慢。目前整体市场供给充足，在价格持续上涨的情况下，已促使买方提前备货，预估Consumer DRAM第二季合约价涨幅将收敛至季增3~8%。

从具体的厂商表现来看，二季度DRAM市场销售额及市场份额排名第一的依然是三星。虽然三星的DDR5制程仍落于1Ynm，且占比有限，ASP下跌了约7~9%，但第二季度受益于模组厂备货，及AI服务器需求，整体出货略增长，带动了第二季度营收环比增长了8.6%至45.3亿美元，市场份额为39.6%。

排名第二的是SK海力士（SK hynix）。TrendForce称，今年二季度SK 海力士出货量环比大涨35%，且平均销售单价（ASP）较高的 DDR5、HBM 出货占比显著增长，带动 SK 海力士 ASP 逆势增长了7~9%，推升 SK 海力士第二季度营收环比增长接近50%（增长幅度位居第一）至34.4 亿美元，排名第二，市场份额为30.1%。

美光（Micron）由于在HBM领域发展较晚，但DDR5出货仍有一定的比重，使得整体ASP大致持平，在出货量增长的带动下，二季度营收环比增长15.7%至29.5亿美元，市场份额为25.8%。

近日消息，根据市场研究机构 TrendForce最新发布的报告显示，受益于AI服务器需求攀升，带动了HBM（高带宽内存）的出货增长，加上客户端 DDR5 的备货潮，使得三大DRAM原厂出货量均有成长。整个DRAM 产业的二季度营收约 114.3 亿美元，环比大涨20.4%，终结了连续三个季度的跌势。

从具体的厂商表现来看，二季度DRAM市场销售额及市场份额排名第一的依然是三星。虽然三星的DDR5制程仍落于1Ynm，且占比有限，ASP下跌了约7~9%，但第二季度受益于模组厂备货，及AI服务器需求，整体出货略增长，带动了第二季度营收环比增长了8.6%至45.3亿美元，市场份额为39.6%。

排名第二的是SK海力士（SK hynix）。TrendForce称，今年二季度SK 海力士出货量环比大涨35%，且平均销售单价（ASP）较高的 DDR5、HBM 出货占比显著增长，带动SK海力士ASP逆势增长了7~9%，推升 SK 海力士第二季度营收环比增长接近50%（增长幅度位居第一）至34.4 亿美元，排名第二，市场份额为30.1%。

美光（Micron）由于在HBM领域发展较晚，但DDR5出货仍有一定的比重，使得整体ASP大致持平，在出货量增长的带动下，二季度营收环比增长15.7%至29.5亿美元，市场份额为25.8%。

自 芯智讯

市场追踪机构Omdia近日发布的报告显示，三星电子第一季度在全球存储芯片市场保住了头名的位置，尽管该公司在芯片供应过剩的情况下盈利平平。另一方面，SK海力士的排名从去年同期的第二位跌至第三位，主要原因是其在三星之前进行的减产。

营收方面，三大原厂营收均下滑，三星（Samsung）自家品牌的新机备货订单有限，出货量与平均销售单价（ASP）同步下跌，营收约41.7亿美元，环比下降24.7%。美光（Micron）第一季上升至第二名，主要是财报区间早于其他原厂，故受惠于去年底出货订单，为所有原厂中唯一出货正成长的厂商，故营收衰退幅度最小，营收27.2亿美元，环比减少3.8%。SK海力士（SK hynix）出货量及ASP均下跌逾15%，营收衰退幅度31.7%为最高，约23.1亿美元。

如同TrendForce集邦咨询先前预期，由于ASP快速下跌所致，三大原厂第一季营业利润率由正转负，同时DRAM价格将持续下行，第二季营业利润率仍是亏损状态。产能规划方面，三大原厂均已启动减产，三星、美光、SK海力士第二季稼动率分别下滑至77%、74%、82%。

南亚科（Nanya）出货量已连续下跌四个季度，第一季营收衰退16.7%，1Anm产能尚未放量，主流制程节点停留在20nm，相对落后三大原厂，故营业利润率跌至-44.9%，受惠于TV SoC库存回补需求，第二季稼动率则有望自70%回升80%。华邦（Winbond）第一季有部分笔电、电视急单助益，但车用、网通需求则开始收敛，加上价格持续下跌，最终营收环比减少8.8%。力积电（PSMC）营收计算主要为其自身生产的Consumer DRAM产品，而不包含DRAM代工业务，受价格下滑、需求冷清之故，DRAM营收环比下跌12.3%，若加计代工营收则环比下跌22.6%。

1月芯片出货指数（剔除季节因素）为71.7，环比下滑25.8%。同期，库存指数环比大增28%，为190.5。芯片库存率高就意味着供大于求。鉴于芯片是韩国主要出口品，韩国出口和经济的前景堪忧。

随着内存、SSD继续降价，但是用户购买欲望不高，这导致韩国厂商备受打击。

据韩国媒体报道称，尽管三星电子、SK海力士等韩国主要DRAM厂商积极通过降价等方式消化库存，但韩国券商业内人士预估2023年DRAM价格难反弹。

去年10月份，有机构预判由于闪存和SSD库存海量，预计今年年中之前，价格会跌去50%之多，现在来看这个跌幅还不够，供过于求的局面，将导致SSD等价格继续下滑。

自 快科技

为避免 DRAM 产品再大幅跌价，诸如美光等多家供应商已开始积极减产，预估 2023 年第一季 DRAM 价格跌幅可因此收敛至 13~18%，但仍不见下行周期的终点。

▲ 图源 TrendForce 集邦咨询

报告称，PC DRAM 方面，由于笔电市场需求买气不足，PC OEM 已连续两季降低 PC DRAM 采购量，目前 PC DRAM 库存约 9~13 周，但第一季属传统淡季，库存去化仍具高难度。预估 DDR5 价格跌幅约 18~23%、DDR4 约 15~20%，整体 PC DRAM 第一季价格季跌幅约 15~20%。

Server DRAM 方面，受淡季效应、长短料调节与总体经济疲弱影响，服务器需求下降，即便部分供应商开始减产，仍无法有效收敛价格跌幅，预估 DDR5 第一季价格跌幅约 18~23%，略高于 DDR4，但 DDR5 第一季导入率仅约 10%，故 Server DRAM 价格下跌幅度主要还是由 DDR4 决定，预估跌幅约 15~20%。

Mobile DRAM 方面，智能手机品牌的 Mobile DRAM 库存历经约六个季度的去化，已到达平均 5~7 周较健康水位，但销售市场低迷，各智能手机品牌持续调降 2023 全年销售目标，对于 Mobile DRAM 库存去化有一定难度。供应商计划放缓报价跌幅，主要是减产已确立且会持续扩大。再者，相较其他 DRAM 产品类别，Mobile DRAM 获利最低，在需求低迷已是市场共识的情况下，降价抢市的策略效益低，故第一季 Mobile DRAM 价格季跌将会收敛至 10~15%。

Graphics DRAM 方面，搭载新款 GPU 的显卡及相关笔电机种将陆续出货，但消费性终端疲弱，加上先前冗长的库存去化过程，造成采购端对 Graphics DRAM 的拉货策略仍然保守。由于 2022 年第四季需求并未赶上供给增加的速度，使得原厂 Graphics DRAM 库存持续堆栈。此外，2023 年需求主流将由 GDDR6 8Gb 大幅转为 GDDR6 16Gb，在可承接的需求有限的情况下，预估 GDDR6 8Gb 的跌价程度波动将较大，整体 Graphics DRAM 第一季价格季跌约 18~23%，但若削价竞争持续恐加深跌势。

Consumer DRAM 方面，考量终端买气仍低迷、Consumer DRAM 价格还处于下行周期，买方并未开始积极备货，加上原先相对稳定的网通订单在 2023 年第一季逐渐松动，导致整体 Consumer DRAM 出货将衰退。即便美光自 2022 年 11 月开始减产，但原厂库存水位仍屡创新高，除了需要更长的时间去化，同时必须仰赖更大规模的减产幅度，由于整体 Consumer DRAM 市场仍是供过于求，预估 2023 年第一季价格将下跌 18~23%。

自 IT之家

有预测称，明年（2023 年）NAND 闪存市场规模将接近 DRAM 市场。但是，与 NAND 闪存市场增长的因素相比，DRAM 价格的下跌更为快速。

分析师认为，今年 NAND 闪存市场规模达 604.9 亿美元，与 DRAM 市场（817.14 亿美元）相比减少了 30% 以上。特别是到 2025 年，NAND 闪存市场规模将达 843.78 亿美元，首次超过 DRAM 市场（833.97 亿美元）。

从今年下半年开始，存储器半导体市场进入严重低迷期。尽管如此，NAND 与 DRAM 相比，定价水准还是得到了一定的维持。因此，Omdia 预测，明年 DRAM 市场规模将比今年减少 30% 以上，而 NAND 明年的市场规模将保持与今年相当的规模。

他们认为，NAND 闪存市场增长势头与 DRAM 相比急剧上升也是 NAND 市场前景看好的原因之一。不仅是数据中心、人工智能（AI），连汽车的 NAND 使用处也在扩大。最近进入汽车的内存搭载量和规格正在提高。

自 IT之家

此前，在今年8月初，相关机构的调查显示，受需求下滑影响，DRAM现货价格在近两个月的时间里下滑了近20%。

由于全球经济前景不乐观导致需求下滑，今年的DRAM市场并不理想。今年11月份，研究机构发布的报告显示，今年第三季度，全球DRAM市场规模降至181.87亿美元，环比下滑28.9%。由于消费电子产品需求下滑导致出货量和价格双双下滑，全球DRAM市场规模同比也出现大幅下滑。

有研究机构预计，明年全球DRAM市场将更不乐观，市场规模将只会增长8.3%，有史以来首次低于10%。

今年9月下旬，研究机构曾预计，今年第四季度，全球DRAM的价格将下跌13%-18%，主要是因为持续上升的通货膨胀削弱了终端消费品的需求。

自 TechWeb

DRAM 市场在今年前几个月的销售强劲，之后出现重大调整。例如，美光报告其 22 财年第三季度（截至 5 月）的销售额增长了 11%。迫在眉睫的市场崩溃在其季度销售业绩中并不明显，但随后该公司第四财季（截至 8 月）给出了 -17% 的销售预测。美光 22 财年第四季度的实际销售额下降了23%，远高于其预测。今年年底，美光还表示，预计其年度 DRAM出货量将下降1%，进一步证明了 DRAM 市场快速而严重的低迷。

SK 海力士 (-23%) 和三星 (-20%) 也宣布其 22 年第 3 季度内存销售额大幅下滑，并且预计 DRAM 市场疲软将至少会持续到 2023 年第一季度。

三大内存制造商在财报电话会议上指出，在每年销售通常升温的时候，通货膨胀已经削弱了消费者可自由支配的支出。加上持续的供应链中断和膨胀的库存水平，DRAM 市场调整几乎是不可避免的。

在过去的 30 年里，DRAM 市场的特点是经历了惊人的增长和多年的毁灭性崩溃。

DRAM 市场在 2019 年下降了37%，在 2021 年增长了 42%，预计 2022 年将下降18%。如此剧烈的波动，难怪DRAM供应商的数量已从30年前的25多家减少到今天的3家。

报告指出，消费性电子需求持续萎缩，合约价跌幅不仅扩大至 10% – 15%，连原先出货相对稳定的 server DRAM，客户端也开始进行库存调节，拉货动能较第二季明显下滑。

营收方面，三大原厂三星（Samsung）、SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron）营收均低于第二季度。

• 三星营收为 74.0 亿美元（约 520.96 亿元人民币），环比下降 33.5%，衰退幅度为三大原厂中最剧；

• SK 海力士营收约 52.4 亿美元（约 368.9 亿元人民币），环比下降 25.2%；

• 美光营收约 48.1 亿美元，由于财报区间不同，其平均售价的跌幅小于两家韩系厂，因而营收衰减幅度为三大原厂之中最小。

TrendForce 集邦咨询表示，三大原厂的营业利润率仍位于相对高的水位，但市场预期 2022 年的库存去化至少要持续到 2023 上半年，获利空间仍会持续被压缩。

自 IT之家

当美光第三财季于5月结束时，该公司对内存市场正在酝酿的麻烦发出了早期警告。尽管该公司第三财季的销售额稳健，但第四季度（截至8月）的销售额下降17%。此外，美光将这一数字修正为截至8月的财季销售额至少下降21%。

西部数据的展望是本季度全公司销售额下降18%。由于硬盘驱动器（HDD）约占公司销售额的一半，预计第三季度只会出现小幅下滑，IC Insights 认为，其 NAND 闪存业务本季度可能至少下降20%。

总部位于中国台湾的Nanya在全球DRAM 市场上是一个相对较小的参与者，但其月度销售数据提供了一些关于DRAM 市场可以多快地从繁荣转向萧条的洞察力。该公司2022年8月的 DRAM 销售额是2021年8月的39%，比5个月前的销售额下降了53%！

内存市场目前处于自由落体状态，IC Insights预计代工巨头台积电将在2022年第三季度超越三星。英特尔预计将升至第三位，其2022年第三季度的销售额比台积电低26%。2021年，台积电位列全球第三大半导体供应商，销售额比三星低31%，这说明台积电迅速崛起。

从台积电2021年“最终”半导体销售额的角度来看，台积电去年的“最终”销售额为1137亿美元，估计占全球半导体市场的18.5%。此外，IC Insights 认为，这个百分比很有可能在2022年第三季度上升到25%。

金士顿近日宣布，基于 TrendForce 集邦咨询（此前称之为 DRAMeXchange）公布的最新营收排行，该公司依然是 2021 年全球最大的第三方 DRAM 模组供应商。金士顿以 142 亿美元的营收位居排行榜第一。TrendForce 表示，金士顿收入同比增长 8%，这是金士顿连续第 19 年位居榜首。

自 cnBeta.COM

DRAM内存芯片价格虽然今年已经跌了30%，不过好戏还在后头。“去年各种芯片都缺货，但是DRAM的供应是充足的，这在生产的时候就会有因为芯片缺货而DRAM无法消耗的情况，但凡缺一个芯片，产品都做不出来，那DRAM消耗不掉只能放着，以至于去年就已经堆了很多料。”有代理商向集微网透露。

自 快科技

集邦咨询（TrendForce）在最新研究报告中指出，尽管 2022 上半年的整体消费需求在迅速减弱，但 DRAM 此前在价格谈判上表现出了几乎没有让步的强硬立场，以不断将库存压力从买家传递给卖家。然而面对 2022 下半年旺季需求的不确定性，部分 DRAM 供应商已开始有效表达降价意向 —— 尤其在需求相对稳定的服务器领域 —— 以减轻其库存压力。

自 cnBeta.COM

一直以来，DRAM存储器市场的全球玩家都不多，而排名靠前的更是只有那几家，比如三星、SK海力士、美光等等。日前，TrendForce集邦咨询公布2021年第三季度全球DRAM厂自有品牌内存营收排名，和往常一样，三星依然保持着遥遥领先的姿态，其市占率超过四成！让其他对手很难超越。

TrendForce集邦咨询以明年各季度的供过于求比例（以下称：sufficiency ratio）作为预测基础，预期DRAM平均销售单价将年减15%，而价格下滑幅度在上半年较为明显；下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动，均价跌幅将收敛，不排除有持平或涨价的可能性。

高层数产品竞争者众，NAND Flash明年产值再增7.4%

NAND Flash方面， 2022年供给位元年增长率约31.8%；而需求位元年成长幅度为30.8%，故明年NAND Flash价格也将受供过于求影响而有所下滑。此外，由于NAND Flash属完全竞争市场，均价下滑的幅度较DRAM更加明显，然NAND Flash在层数结构的堆栈持续推进，故在供给位元成长仍维持在30%以上的情况下，预估2022年NAND Flash总产值仍有成长空间，达741.9亿美元、年增7.4%。

同样以明年各季度的sufficiency ratio作为预测基础，推估2022年平均销售单价将年减18.0%，而价格下滑幅度也是在上半年度较为明显，下半年起将受惠于旺季需求效应带动，均价跌幅较为收敛，或有单季价格持平的可能性。

整体而言，DRAM与NAND Flash历年的总产值变化，由于两者竞争型态的不同，DRAM基本上在产能扩张上较有规律，故长期均价的波动性较小，同时20nm以下制程微缩已经逐渐达到物理极限，使得年度位元成长增幅有限；而NAND Flash在产能扩张的规划则较不稳定，再加上产品的层数仍能持续提升，故长期均价的波动性较大，进而呈现DRAM产值成长幅度不及NAND Flash的态势，但获利表现方面则反之。

资本支出持续拉高，产值若无法跟进成长，恐压抑厂商获利能力

从资本支出来看，DRAM方面，近年来其整体资本支出对营收占比（以下称：CAPEX to sales ratio）逐渐升高有两大原因，首先，由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限，在20nm制程以后，除了美光（Micron）1α nm仍造就有近30%的单晶圆位元成长外，其他从1Xnm转至1Ynm、或者1Ynm转至1Znm制程，成长已经收敛至15%以内。2022年三星（Samsung）与SK海力士（SK hynix）的最先进制程将正式导入关键机台EUV，而该机台的生产交期长且造价高昂，使得三大原厂纷纷提前提拨大笔的资本支出，以因应EUV的前置订单。

其次，由于DRAM已形成寡占市场型态，即便偶尔出现均价下跌周期，也因为供应商的生产秩序形成，销售均价难以跌破总生产成本（fully loaded cost），故DRAM原厂能够逐渐累积来自该产品的生产获利。由于制程转进不易，除三大原厂以外，市占较小的南亚科（Nanya Tech）、华邦（Winbond）等厂商皆有实际扩产计划，成为DRAM 市场CAPEX to sales ratio持续升高的另一大原因。

NAND Flash方面，其CAPEX to sales ratio自2017年转进3D NAND技术以来即有显著提升，该年之前平均达25~30%，目前提升到平均近40%。主因是随着3D堆栈层数的上升，除了拉长产品生产所需时间，对于蚀刻难度、精准度的要求也一并提升，主流层数正朝向1YY层世代迈进，供应商同时开始研发2XX层产品技术，对于单次蚀刻深度的要求不断增加，显示出该产业所需的资本支出总额随着层数提升、产值增加而持续成长。

TrendForce集邦咨询表示，由于NAND Flash堆栈层数的技术推进，未来供应商仍将持续追求推进更高层数，以降低每GB的生产成本。因此，预期该产业的资本支出仍有增长空间，且CAPEX to sales ratio将维持在接近40%或以上。值得注意的是，若未来数年产值无法跟进支出的成长速度，恐将造成CAPEX to sales ratio过度上升，进而压抑供应商获利能力。

根据市调机构TrendForce的最新统计，2020年的SSD渠道市场上，金士顿继续强势第一，年出货量1.115亿部，份额高达27％。27％看起来不是很高？那就看看第二名威刚，才不过8％，三倍多的差距。当然，2020年的新冠疫情对整个行业冲击非常明显，金士顿SSD的渠道出货量就减少了多达15％，但即便如此依然遥遥领先。

TrendForce 最新调查指出，在经历了 2021 年 3 季度的生产高峰期之后，DRAM 供应或在 2021 年 4 季度超过需求。此外虽然 DRAM 供应商的库存水平普遍健康，大部分终端市场客户的 DRAM 库存仍将高于正常水平，意味这些客户的额外采购意愿也会走低。基于此，TrendForce 预计随着客户库存水平的上升，DRAM 价格或在 2021 年 4 季度迎来 3-8% 的环比下降。

自 cnbeta

根据TrendForce集邦咨询表示，2020年受到疫情带动宅经济效应，笔电与桌机出货皆较2019年大幅增加，其中笔电出货去年成长幅度高达26%，进而带动DRAM颗粒的需求。虽然2020年DRAM价格走势持稳，但在实际需求增加的挹注下，2020年全球DRAM模组市场整体销售额达169亿美元，年成长约5%。

市场研究机构集邦咨询（TrendForce）的数据显示，2021年第二季度，三星电子的DRAM销售额为105.1亿美元，环比增长30.2%，市占率为43.6%，环比增加1.6个百分点，位居第一。

自 techweb

时序进入第二季，包括PC、mobile、graphics及specialty DRAM在内的各产品需求仍将维持稳健。此外，先前拉货动能较疲软的服务器业者经过2~3季的库存去化，加上预期DRAM价格将持续上扬，部分业者重启新一轮的备货潮。TrendForce集邦咨询预期，第二季原厂DRAM平均销售单价上扬幅度将十分显著，配合出货量持续向上，整体DRAM产值季成长率将有机会突破两成。

第一季DRAM价格反转向上，推升三大原厂营收表现

以营收表现来看，三大DRAM原厂的出货量与平均销售单价同样呈现「量价齐扬」的走势，且出货增幅优于预期，显示出报价反转刺激采购端积极备货。三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）的营收分别上扬8.5%、6.9%及9.6%；市占率变化则不大，仅美光小幅上扬至23.1%，第二季三大原厂的市占仍将不会出现明显改变。

以获利表现来看，尽管第一季的DRAM均价涨幅落在0~5%，不过因各厂商先进制程的转进时程有所不同，故获利表现也有所差异。以三星而言，由于正值1Znm量产初期，良率较低导致营业利益率由去年第四季的36%下滑至34%；SK海力士则受惠于新制程良率有所进步，由上季的26%回升至29%。而美光本次财报季区间（12月至2月）的报价涨幅与韩厂大致相同，其营业利益率也自上季的21%上升至26%。整体而言，第二季受到报价跃进的挹注，预估原厂获利能力都将有明显进展，其中三星随着1Znm良率逐渐成熟，估其获利增幅将最为明显。

DRAM需求好转，原厂加快下半年产能扩增计划

2021年三大原厂陆续加速产能或制程转进的规划，以应对终端逐步上修的需求，不过由于新增产能开出的时间点将主要落在2022年上半年，对于今年DRAM市况的影响不大。从三大原厂产能方面来看，三星为应对利基型的specialty DRAM的热络需求，除了放缓旧厂Line 13原先由DRAM转向CIS（影像传感器）的步调外，也决定扩增最新平泽二厂P2L年底的产能，以应对需求面的好转。

SK海力士旧厂M10同样放缓DRAM转至逻辑IC的进度，并决定将部分2022年的资本支出规划提前至今年，年底新厂M16的投片有机会小幅向上，但今年其DRAM位元增加仍主要来自于1Ynm及1Znm制程比重的提升。美光今年仍着重在1Znm及1 alpha nm制程的量产及拉升整体产出比重，凭借成本优势，1Znm已成为美光主推制程，并广泛应用于各类DRAM产品；此外，其也开始下一代1 alpha nm的产品验证，制程推演速度相当快。而总产能在没有全新厂房的规划下，投片将大致与去年相当。

Specialty DRAM市况热络，台厂动态调配产能迎涨价潮

台厂方面表现甚至优于三大原厂，主因是在此波DRAM涨价潮中，利基型的specialty DRAM率先领涨且涨幅最剧。南亚科（Nanya Tech）受到报价大涨的挹注，第一季营收季增21.7%，而营业利益率也随着报价走扬而大幅进步，由上季的8.8%上升至17.1%。华邦（Winbond）整体订单需求仍十分稳健，不过第一季以specialty DRAM及NAND Flash业务表现较好，在利基型存储器市况率先好转的帮助下，DRAM营收也因此季增9%。然而，TrendForce集邦咨询认为，需待华邦2022年高雄路竹厂加入量产后，才有机会舒缓供货紧缺的态势。力积电（PSMC）营收仅计自家生产之标准型DRAM产品，不包含DRAM代工业务，其第一季DRAM营收成长约7%；若加总代工营收，成长则达到16%。

面临此波缺货潮，三大台厂皆趁势将部分产能转移至自身最具优势的产品，以达到生产效益最大化，如南亚科将部分20nm产能由DDR4调配回DDR3，因DDR3目前获利水平优于DDR4。华邦则将有限的DRAM产能重点锁定在最利基的小容量产品，因该产品在市场具备极高的定价话语权。力积电在现阶段逻辑IC与specialty DRAM需求皆旺的情况下，透过客户提高报价的方式，在两者间动态调配产能以优化获利。

受笔电生产总量增加影响，第二季PC DRAM价格涨幅上调至23~28%

第二季PC DRAM合约价涨幅较原先预期更高的原因，主要还是来自于各大PC OEMs的积极生产目标，加上第二季本就为笔电生产旺季，该季度PC ODMs的笔电生产总量季增幅为7.9%。另一方面，检视目前疫情发展，现下各国疫苗的普及率仍低，因此笔电将持续受惠于远距办公与教学带动，将使PC DRAM价格涨幅再扩大。

Server DRAM价格涨幅上修至20~25%，原厂议价能力将更强大

除DRAM原厂供给依旧吃紧外，第二季Server DRAM买方采购力道受惠于企业对于IT投资转趋乐观，上云动能较原先预期更为强劲，除了促使第二季的需求再度扩大，也进一步提高Server DRAM买方的合约议价难度。尤其以DRAM寡占市场的特性来看，原厂将具备更高的议价优势。因此，原先预期第二季Server DRAM合约将有近两成的季涨幅，TrendForce集邦咨询将其修正上调至20~25%。

集邦咨询（TrendForce）调查发现，主力 DRAM 供应商和 PC OEM 厂商正处于 2 季度合约价谈判的关键时期。最新的交易数据显示：尽管这些议价尚未敲定，但截至目前，主流 1G*8 DDR4-2666 内存模组的平均售价，已较上一季度增长近 25% 。作为参考，TrendForce 早前预测的涨幅仅为“接近 20%”。

自 cnbeta

产业链人士和供应商此前曾表示，在去年下半年下滑之后，DRAM的合约价格在今年一季度就将开始上涨，二季度仍将延续上涨的势头。而研究机构在最新的报告中表示，PC DRAM合约价格，在二季度的涨幅，将远高于一季度。

自 techweb

据TrendForce集邦咨询最新报告，2020年第四季DRAM总产值达176.5亿美元，季增1.1%。整体市况归因于中国智能手机品牌Oppo、Vivo、小米(16.34, -0.36, -2.16%)（01810）积极加大零部件采购力道，欲抢占市场份额，因而带动第四季各家DRAM供应商出货表现。

自 智通财经

笔电出货畅旺拉升厂商备货动能，PC DRAM价格大致持平

从需求面来看，2021年第一季笔记本电脑的整机生产量预估为约5270万台，除了受传统淡季效应与农历新年工作天数减少影响，加上2020年第四季基期偏高，因此预估季减约9%。然而，大部分的PC OEM品牌厂，受惠于今年笔电出货畅旺（YoY20%），PC DRAM库存水位仅4~5周，因此预估短期内厂商增加库存的意向，将会持续拉升需求动能。从供给面来看，DRAM三大原厂三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）整体的供给位元成长在近两季并未有大幅提升；此外，受惠于mobile DRAM的拉货动能畅旺，第三季末起各厂就计划性地将产能持续转向该领域，导致PC与server DRAM产能受到排挤。因此，在2021年第一季需求有撑，供给未明显成长的情况下，PC DRAM均价不易下跌。

产能排挤与美光跳电事件影响，Server DRAM价格将由大致持平转为微幅上涨

从需求面来看，因每年首季均为品牌厂淡季周期，且每年第一季server DRAM的采购力道相较全年也普遍较低，然唯须留意data center在DRAM价格即将涨价前夕的提前补单动作。从供给面来看，DRAM三大原厂近期受mobile DRAM采购动能复苏影响，自2020年9月份起陆续转移server DRAM产能至mobile DRAM，与PC DRAM的供给态势雷同，在产能排挤的效应下，2021年第一季server DRAM供给位元成长非常有限。

整体而言，TrendForce集邦咨询认为价格落底、产能趋紧等因素导致市场对于提前备货的共识显著提高。展望2021年，虽然每年首季度均为品牌厂出货的淡季周期，但在价格反转前夕与美光跳电事件的预期性心理影响下，将会刺激买方提前补单。且现阶段由于市场近期由部分产品线率先领涨后，同时伴随mobile DRAM与PC DRAM需求畅旺，server DRAM的价格下行区间有机会提前终结，明年首季将正式涨价。

Mobile DRAM价格大致持平，仅小型品牌厂合约价有上扬可能

从需求面来看，2021年第一季市场将持续受到华为禁令的影响，预期受惠的其他品牌仍会维持积极的生产备料模式，因此有别以往由旺季进入淡季，往往动辄10%以上的衰退，预计明年第一季生产总量可望接近3.3亿支，季减6%。从供给面来看，有如先前所述，DRAM三大原厂对于明年第一季的供给位元成长没有显著调升，加上今年第四季尚有mobile DRAM的需求未交付而延后，故该领域的供给仍紧张。

整体而言，TrendForce集邦咨询预测明年第一季mobile DRAM合约价格与今年第四季大致持平。以需求大宗的品牌厂而言，在先前议定的special deal以及大量需求的支撑下，价格变动幅度不大；反观其他规模较小的品牌厂，出于排挤效应，加上需求容量较小，原厂供给意愿较低等因素，明年第一季合约价格不排除微幅上扬的可能，幅度约落在3%以内。

Graphics DRAM价格小幅上涨，估GDDR6上涨约5-10%

从需求面来看，新显卡、新游戏机及矿机持续扮演graphics DRAM需求的三大支柱，带动graphics DRAM成为众DRAM产品中率先涨价者。TrendForce集邦咨询预估，在强劲的需求持续带动下，主流产品GDDR6价格将于2021年第一季上涨约5-10%。从供给面来看，现有的graphics DRAM原厂多以较成熟的20nm或1Xnm生产，然而同样大量使用1Xnm制程的mobile DRAM需求的好转使得graphics DRAM产能遭到排挤，而该现象即便进入明年第一季，原厂的供货达成率仍然不佳，因此涨价态势最为明确。

Consumer DRAM价格大致持平，DDR3供给减少价格将率先拉涨

从需求面来看，DDR3受电视、机上盒及网通相关产品带动，需求逐渐回温，带动小容量（DDR3 1/2/4Gb及以下容量）产品的需求逐步攀升；许多采取短周期合约的中小型客户已提早面临被涨价的情况，不过一线客户仍大致维持持平走势。从供给面来看，SK海力士已正式停产DDR3 2Gb，而三星亦逐渐将Line 13的旧DRAM制程转移至生产CIS；DDR3产品在韩系厂商陆续减少产出的情况下，价格有率先被拉抬的态势。而DDR4类别产品则因与主流PC与server的产品关联性高，因此价格表现与该两者较一致，皆不易下跌。

PC端两大供应平台受限BOM总成本结构， DDR5导入计划延至2022年

英特尔（Intel）为PC主要平台供应商，占整体PC出货量约70%以上，由于PC消费者对整机价格敏感度极高，而DDR5初期推出的价格与DDR4相较必定存在溢价，因此英特尔平台支援时程不会过于积极。观察英特尔目前规划，原预计2021年发表的Tiger Lake-H（仅限最高端版本)要开始率先支援DDR5，然最终英特尔仍决议暂缓该计划，最快恐怕要到2022年初的Alder Lake平台才会正式配合。

而作为次要平台供应商的AMD，占整体PC出货量约20%以上，但也同样要等到2022年5nm平台才有计划支援DDR5的解决方案。综观PC两大供应平台，由于受限BOM总成本结构，对新一代存储器的规划要到2022年才能落实，这意味着DDR5在今、明两年都仅停留在产品开发与验证阶段。

英特尔、AMD可望在2022年量产DDR5 Server DRAM产品

同样作为Server主要平台供应商的英特尔，占整体Server出货量约90%以上，与PC端相较，由于Server产品的生产成本敏感度较低，因此对于存有溢价的DDR5产品有较快的平台导入规划。预计其Server平台Eagle Stream会开始正式采用DDR5，预计2021下半年度开始做小批量的生产。TrendForce集邦咨询推估，DDR5的Server DRAM产品将在2022年逐渐大量生产，并且取代既有的DDR4相关产品。

次要平台供应商AMD则占整体Server出货量约10%以内，然而即将问世的Milan平台仍沿用当前主流解决方案DDR4，预估至少将要等到Genoa平台初步导入DDR5的规格，而该计划仍存变量。Genoa平台测试将在2021年启动，量产时程已经展望至2022年，若该平台决议正式搭载DDR5，AMD的Server存储器解决方案最快2023年才会明显转进至DDR5。

高通、联发科高端芯片加持，LPDDR5渗透率将超前DDR5

高通（Qualcomm）、联发科（MediaTek）皆为智能手机主流AP供应商，以今年为例，两者合计占整体智能手机出货近七成。其中高通对LPDDR5搭载显得相对积极，自年初已有可支援的高端芯片Snapdragon 865问世，后续的高端7系列将全面搭载LPDDR5，因此今年已导入新一代存储器解决方案。联发科在LPDDR5的导入时程则明显较慢，当前高端5G芯片包含天玑系列的公版，仍只有LPDDR4世代相关应用。预计2021年规划有至少两款芯片首度（命名未定）支援LPDDR5，并且有机会在2021上半年问市。

在存储器供应商的策略营销下，LPDDR5和LPDDR4X价差己快速收敛至10%以内，有助于新世代产品的普及。展望2021年，随着高通高端7系列以及联发科新一代芯片相继加入支援，以及LPDDR5具备更快速、更省电的特性，预估整体渗透率将落在18.5%，而后势发展将取决于其与LPD4X的价差表现，一旦与现有主流LPDDR4X价差被消弭后，LPDDR5相较于DDR5的渗透率势必会更快速且明确。

GDDR6已成主流 Graphic DRAM解决方案，英伟达、AMD列为新品标配

主要显卡GPU供应商英伟达（NVIDIA）占Graphics Card出货量约75%，在2018年就已发表Turing系列的GTX与RTX显卡，其中的中高端产品就已搭载GDDR6；而去年推出的效能升级版Super系列更是全线搭载GDDR6，至于第三季上市的Ampere GPU则同样以其为基本规格。次要平台供应商AMD占Graphics Card出货量约25%，其2019年推出的NAVI GPU也已全数搭载GDDR6，第三季发表的下一代BIG NAVI则将GDDR6列为标配，容量更进一步提升，快速拉高GDDR6的渗透率。

上述两大平台供应商所分食的Graphics Card领域已占整体Graphics DRAM近七成的消耗量，因此在平台对GDDR6积极支援下，GDDR6与GDDR5相较虽仍存价差，但已持续收敛（目前大致不超过10%，甚至部分供应商已经给出同价的报价）。除Graphics Card领域外，游戏机产品约占Graphics DRAM三成的消耗量，微软（Microsoft）和索尼（Sony）于第四季发表的XBOX Series X以及PS5全新游戏机都将搭配高规的GDDR6 16GB，不仅是现有机型采用的GDDR5的双倍用量，更远超过目前主流显卡6至8GB的规格。

TrendForce集邦咨询表示，由上述各终端产品之主要平台供应商，对新世代存储器的渗透与导入有至关重要的影响力。基本上在JEDEC对新产品做出规格方面的明确定义后，DRAM制造商大致上都能够在一年以内做出颗粒或模块的产出，但若没有平台端的支援，即便DRAM制造商的新产品已经齐备，也将抑制整体渗透率提升的效率。

TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处表示，观察目前DRAM市场，consumer DRAM仅占整体DRAM市场消耗量约8%，即便consumer DRAM出现价格波动，合约市场涨跌的关键仍在于供需双方的库存水位，以及主流server DRAM的采购动能何时回温。在data center与enterprise server业者尚未重启新一轮补货前，DRAM价格压力仍在，现货价格反弹可能仅是短暂效应。

Consumer DRAM拉货动能强劲，季跌幅缩小至5%以内

华为近期受到禁令扩大影响进而加大采购力道，以因应后续潜在的断料危机。为满足5G布建、网通等相关产品的需求，consumer DRAM应用内的主力*16颗粒遂在此波拉货中成了最抢手的产品，预测第四季价格由原先的季跌幅10至15%缩小为0至5%；mobile与server DRAM拉货量虽有提升，然仍不足以改变当前供过于求的态势。

而NAND Flash现货尽管交易量在部分国家解封后略有恢复，然TrendForce集邦咨询认为，该市场长期走弱的态势并未翻转，且在上游原厂竞争越来越激烈的状况下，短时间恐将无法改善现况。

今年全球众多行业都受到了影响，市场需求明显下滑，但笔记本电脑等居家办公及学习所需的电子产品，却并未受到明显的影响，甚至还有增长，也拉升了内存等各种零部件的市场需求。

研究机构在他们最新的报告中就预计，今年全球DRAM（动态随机存取存储器）的销售额将达到645.55亿美元，将是集成电路领域最大的细分市场。

同2019年的销售额相比，研究机构预计的全球DRAM今年的销售额，是同比增长3.2%，但同2018年相比，差距还是非常明显。

在2018年，全球DRAM的销售额达到了创纪录的994亿美元，远高于相关机构预计的今年645.55亿美元的销售额，在当年全球集成电路产品销售额中的比例，达到了23.65%，也高于今年的17.5%。

研究机构还预计，DRAM将成为今年集成电路领域出货量最大的产品类别。受疫情影响，计算机的出货量增加，已满足不断增加的在线业务、教育和电子商务等的需求，DRAM的出货量预计增长7.5%，达到186亿。

        第三季度收入增长主要得益于出货量的增长而非价格增长。事实上，第三季度价格保持平稳，由于市场供应在下半年已经平稳扩张。随着价格达到拐点并开始下降，大型和小型存储器供应商的表现开始出现分歧。规模较小的供应商通常第一个感受到价格下降的影响，并且其收入受到的打击也更大。

        从整体来看，三星是DRAM市场的领导者，业绩再次创下历史新高。虽然其产品的平均售价没有重大变化，但通过部署新增产能提高了其出货量。第三季度，三星的收入环比增长13.6%，达到127.3亿美元。

        由于平均销售价格环比仅上涨1%，SK海力士第三季度收入环比增长6.0%，达到81.5亿美元。总体而言，两家领先的韩国供应商在收入方面占全球DRAM市场的74.6%。三星的市场份额为45.5%，而SK海力士的市场份额为29.1%。

        美光在收入榜上排名第三，出货量也有所增长。然而，其平均售价增长相对平稳。美光第三季度收入环比增长6.8%，达到59.2亿美元，全球市场份额为21.1%，与上一季度相比没有明显变化。

        顶级DRAM供应商在第三季度的营业利润率创下新的纪录。尽管平均销售价格上涨有所放缓，但他们通过使用更先进的制造技术优化了成本结构，从而提高了上一季度的营业利润率。例如，三星的毛利率已超过80%的门槛。

        SK海力士的经营利润率从2018年第二季度的63%上升至66%，因为它有效提升了1X-nm工艺的收益率。美光营业利润率从第二季度的60%上升至62%，归功于其1X-nm工艺产量份额的增加。

        展望第四季度，由于降低成本的努力不足以抵消价格暴跌的影响，因此顶级供应商不会创造新的纪录。

DRAMeXchange指出，以第三季的价格来看，产品属性类似的PC DRAM与服务器内存季涨幅均仅1-2%；行动式内存与利基型内存价格持平；而绘图用内存已经开始跌价。由现货市场来观察，价格从今年年初开始一路下滑，在六月底正式低于合约价，已经预告DRAM整体价格即将走弱的可能性。

展望2019年，在各厂商持续转进1X/1Y制程，以及SK海力士无锡新厂可望开始投片的影响下，供给位元成长将大于需求，预估整体DRAM价格将持续下滑，年衰退幅度约在15-25%。

PC DRAM与服务器内存报价持平或小幅下修

PC DRAM虽然占总产出的比重低于15%，但由于该产品对供需变化高度敏感，因此是其它类别内存产品价格变动的风向标。虽然第四季各PC OEM厂处于旺季需求，但由于各家库存水位与年初相比持续增加，加上业界对2019年价格走弱似乎已有共识，因此并不急于在此时回补库存。DRAMeXchange认为，第四季PC DRAM价格在最乐观的情况下仅可能持平开出，但也可能开始小幅下滑。

至于服务器内存，现阶段由于原厂持续提高服务器产品比重，服务器内存供给达标率在第三季显著提升，有助于改善供需失衡的状况。然而，第四季实际供需状况仍视中国与北美地区数据中心的需求而定，预期报价将有较高机会持平开出，但也不排除下修的可能。

行动式内存吃紧状况改善，价格持平或反转走跌

展望第四季智能手机市场需求表现，受惠iPhone新机以及Android阵营旗舰新机的需求带动，预估整季生产数量将较第三季成长5-10%，进而推升对行动式内存需求。供给方面，三星平泽新厂第四季的产能将小幅增加，SK海力士、美光等则得益于新制程转进以及良率提升等支持，行动式内存市场的供货满足率(Order fulfillment rates)将获得改善，整体供需状况将优于上半年。DRAMeXchange预估，第四季行动式内存合约价格将有机会呈现持平或出现反转，以分离式来说，价格将落在持平到下跌2%的区间；eMCP则因NAND Flash的持续降价，价格将较第三季调降2-5%。

利基型内存方面，下半年虽是消费性电子产品传统旺季，但目前终端的拉货需求并未出现明显抬升。以利基型内存消耗量第二大的机顶盒(Set-top box)来看，上半年需求并不强烈，造成库存水位偏高，连带影响下半年的拉货力道，预估全年销量将小幅下滑。整体而言，在第三季利基型内存合约价格仅持平开出，但现货价已开始下跌的情况下，第四季合约价格反转向下的机会已升高，其中DDR4因与同容量DDR3产品有超过20%的价差，跌幅恐更大。

DDR3具成本优势，短期仍为利基型记内存主流

就产品应用种类观察，首先在利基型内存需求大宗的电视，今年出货量持稳，约为2.157亿台。不过就搭载的DRAM而言，考虑SiP封装具有节省零组件成本或PCB面积的优势，FHD电视的SoC已有超过7成以SiP封装的型式出货；低端4K TV在成本考虑下，亦开始逐步导入SiP。然而因温度限制，采用SiP封装方式的DRAM仅能搭载DDR3内存。

观察终端售价，目前相同容量的DDR4与DDR3仍有2成以上的价差，而TV主芯片因两种内存规格都兼容，因此DDR4在利基型内存中的渗透率上升速度十分缓慢，甚至有新开案的电视机种回头采用DDR3。DRAMeXchange认为，在DDR4价格没有回落至接近DDR3之前，或说只要PC或服务器所采用的DDR4价格维持在高水位，DDR3就仍会是利基型内存的主流，预期此现象最快可能要到2019年底才有机会扭转。

以太币价格持续下跌，DDR3 1Gb内存拉货热潮告终

至于虚拟货币市场，虽然比特币价格近期有止跌反弹的迹象，但内存需求量高的以太币矿机E3（每台需576颗）受以太币持续跌价影响，原本预期今年下半年会出现的强劲拉货动能已消失，连带让DDR3 1Gb的价格上涨预期落空。DRAMeXchange认为，在以太币价格回升到一定水位，或在支持高颗数内存的全新挖矿机种出现前（且该币种单价要高到足以吸引玩家加入挖矿），其所带起的内存拉货热潮恐暂告一段落。

行业追踪机构IHS Markit在周一发布的一份报告中称，半导体的全球销售预计将在2018年上升，但与去年相比，其增长速度可能会放缓。

根据IHS Markit的数据，去年(2017)全球动态随机存取存储器(DRAM)的市场规模为722亿美元，较2016年的415亿美元增长了74%。

该公司表示，2018年，市场对DRAM的需求可能达到844亿美元，较去年增长16.9%。

分析师们表示，除了市场增长速度将在明年放缓之外，电脑芯片的平均售价可能也会下降——尽管2018年发货量会上升。

2018全球半导体市场预测 中国地位将上升

IHS Markit预测，除了DRAM，NAND闪存芯片的销售额预计也将在2018年增长10%，达到592亿美元。该公司表示，生产过剩将导致这种芯片的价格在新的一年里下降。

2017年，NAND闪存芯片市场达到538亿美元，比前年的368亿美元增长了46.2%。

除了IHS Markit以外，其他全球市场观察机构，如DRAMeXchange和TrendForce都预计，随着中国经济增长与调整为全球范围内的整体市场状况所带来的影响，中国制造商将在全球市场中占据更大份额，在国际舞台上扮演更重要的角色。

TrendForce表示，中国企业都将专注于推动其半导体存储器业务的发展。

多家行业观察机构均表示，除中国企业的重要性愈发凸显外，全球科技行业也都在密切关注着市场领头羊三星电子的动向，想知道该公司将在2018年向半导体生产设备投入多少资金。

在2017年上半年，这家全球最大的电脑芯片制造商向其半导体生产线投入了110亿美元。这相当于当时全球所有设备投资的四分之一。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，第一季DRAM总体营收较上季大幅成长约13.4%。从市场面来观察，原厂产能增加的效应最快在2017年下半年浮现，但仅是满足下半年智能手机与PC出货的内存需求。放眼第二季，行动式内存的需求增长动能虽然稍做停歇，但服务器内存的需求依然强劲，仍让标准型内存与服务器内存价格在第二季上扬超过10%。

从营收角度来观察，三星依然稳坐DRAM产业的龙头，由于去年第四季营收基期已高，加上第一季的位元成长相对有限，使得营收成长仅6.8%，但营收金额已经来到63亿美元，远超过SK海力士的40亿美元。而SK海力士表现亦不俗，第一季营收成长21.5%，两大韩厂的市占率分别为44.8%以及28.7%，合计二家韩国厂商已经囊括73.5%的市占率，美光集团位居第三，营收季增22.3%，市占率为21%。

三大厂第一季营业获利率再飙升，预期第二季将持续走扬

受到价格持续大涨，三星第一季营业获利率提升至54%最高，SK海力士由36%上升至47%，而美光则是从14.9%变成32.5%。展望今年第二季，由于DRAM价格上涨并未停歇，各家获利仍将进一步的提升。

观察各厂技术发展进程，三星今年的目标仍专注于18nm制程的转进，除了维持稳定领先竞争对手外，满足客户需求也是主因；除了Line17外，目前也将在Line15转进18nm制程，目标年底能有40%以上都是最先进制程的产出。

今年SK海力士目标还是着重于21nm的良率提升并扩大该制程占比，18nm制程将于今年下半年开始试产，并希望于明年上半年大幅提升量产规模。

在美光方面，台湾美光内存已在年初将17nm制程导入量产阶段，希望年底大部分产能都能转进至新制程，台湾美光晶圆科技(原华亚科)暂无计划转进更先进制程，今年目标首重20nm制程良率的持续提升。

台系厂商部分，南亚科也受惠于第一季利基型内存价格的持续上涨，今年第一季营收较去年第四季成长3.6%；同时，该公司20nm首批良率预优于期，正积极往年底每月30K的投片目标迈进。

华邦营收小幅衰退5.5%，主要是受到调整产品类别的影响，如第一季NOR内存需求大增，排挤部分DRAM的投片，华邦除了持续提升46nm比重外，预估38nm制程今年第三季将正式量产，产出的提升将反映在后续的营收表现上。

力晶科技方面，DRAM方面营收成长7.6%，主因是DRAM价格大好，客户投片回笼，加上代工价格随DRAM价格上涨而水涨船高，都让营收表现十分亮眼。

全球市场研究机构TrendForce最新报告显示，受到DRAM平均销售单价持续下降及市况持续供过于求影响，2015年第四季全球DRAM总产值为102.7亿美元，环比衰退9.1%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，2015年第四季虽有苹果iPhone6s出货的加持，笔电出货亦比预期更佳，但由于各DRAM厂制程转进，如SK海力士21纳米正式投片、美光集团大幅转进20纳米制程，都让产出持续增加，使得2015年第四季DRAM价格持续下修。

三星营收持续称王，SK海力士拉大与美光集团竞争差距

三星依然是DRAM产业的营收王者，虽然营收下滑9.7%，至47.6亿美元，但市场份额仍高达46.4%。SK海力士也受跌价影响，营收衰退9.3%，来到28.7亿美元，市场份额为27.9%，位居全球第二。美光集团则是三大DRAM厂衰退幅度较大者，季衰退达10.5%，市场份额仅18.9%。美光集团受到技术转进落后冲击，与SK海力士已产生竞争差距。

此外，两大韩系厂的营业获利率与上季相比呈现小幅衰退，三星与SK海力士分别为43.0%与32.0%；美光集团下滑则较为明显，由2015年第三季的14.8%，下滑至第四季约8.5%。吴雅婷表示，如果DRAM价格持续衰退，美光将在2016年第二季面临成本保卫战。

三大厂持续制程转进，SK海力士新增产能居冠

三星20纳米比重持续攀升，且良率表现高于其他竞争对手，为三大厂商中成本最低，预定于2016年年中导入18纳米制程，成本降低有望更进一步。SK海力士去年第四季正式导入21纳米制程，整体投片量将于今年第一季逐步放大，加上新厂M14启用，让SK海力士成为新增产能最多的DRAM厂。美光集团则在去年第四季大幅转进20纳米制程，唯良率仍有待提升，今年上半年预定导入16纳米制程，但于同样制程下产出仍与韩系厂商有一定程度差距，成本降低并未如外界想象优异。

南亚科30纳米微缩制程产出持续增加，加上投片小幅提升，即使受利基型内存价格下跌冲击，南亚科营收仅小幅下滑1.8%。华邦电子受惠于车用电子开花结果及工规内存的需求不错，2015年第四季营收小幅成长2.4%，2017年预计生产3X纳米制程，正式摆脱近年来无新制程可用的窘境。力晶科技受到LCD Driver订单滑落，为维持产能利用率，空闲皆转而生产标准型内存，让营收大幅成长10.6%。力晶科技目前正小量转入25纳米制程，有助成本降低。

主要受惠于标准型内存价格的上涨、现货市场转趋热络及合约市场的比重提升。2013年模组厂前十名几乎囊括全球模组市场中88%的营业额，其中金士顿稳坐模组厂龙头，年营收成长约32%；威刚与记忆科技则分居二、三名，营收也大幅成长116%及37%。由于模组厂营业项目转趋多元，本次排名仅针对各家模组厂的DRAM营收做统计。

DRAMeXchange表示，2013年绝对是DRAM成长强劲的一年。由于市场进入寡占结构，供需获得有效控制，加上智能手机与平板电脑的热销，更让DRAM大厂积极转进行动式内存，造成标准型内存供货吃紧，DDR3 4Gb合约价颗粒价格从低点的1.84美元一路上涨至高点3.94美元，涨幅达114%。而DRAM厂优先供货给PC-OEM厂，让现货市场价格涨幅更为激烈，2013年DDR3 4Gb高价更来到4.27美元，涨幅高达88%。目前合约与现货价格价差仍高达20%，是DRAM市场少见的状况，也带动模组厂营收的成长。

金士顿稳坐2013年内存模组厂的宝座，主要归功于打进合约市场与现货市场的活络，近期eMCP产品更是该公司旗下KSI亟欲佔有一席之地的产品，在中国市场已多有斩获，未来着眼于打入一线大厂供应链中。位居第二的威刚科技，2013年在低价库存的贡献与灵活的销售策略下，营收成长高达116%，固守台系模组厂营收一哥的头衔。记忆科技则受惠于大客户联想的内需与海外市场销售屡创新高，营收成长约37%位居第三。受惠于母公司美光的供货持续稳定，现货市场与通路营收大幅成长67%，原名Crucial Technology正式更名为Micron Consumer Products Group(美光消费电子产品集团) 排名为第四。至于创见则是从第八名一举攀升至第五名，主要归功于工业用内存的销售大幅成长的贡献。

全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，去年第四季DRAM产出虽受到SK海力士无锡大火影响而稍有略减，但供货吃紧下反而造成平均销售单价劲扬，因此4Q13全球DRAM产值再度攀高至约97.5亿美金，QoQ近5%。同时，前两大DRAM供货商的获利能力较上季皆有提升，其中获利差异点取决于各DRAM厂标准型内存的供给多寡。

TrendForce研究协理吴雅婷表示，就4Q13合约价格走势做观察，由于九月SK海力士受祝融波及而影响当下出货，DRAM 4GB合约均价最高来到34美元价位，较火灾发生前上涨约二成，供货不足下主要PC OEM厂纷纷转向三星及美光要求紧急供货，亦是这波价格上涨受惠最多的厂商。其中三星受惠于25奈米制程开始放量，供货最充足，所以盘据成交价的高价部位，美光次之，SK海力士为避免客户流失，将合约价格放低，为这波涨价潮当中受惠最小的供货商。2013年DRAM总产值总计达到34.4亿美元，年成长约三成。

从全球DRAM厂自有品牌内存市占比例来观察，三星半导体与SK海力士半导体各为39%与24%，两者差距再进一步拉大。三星维持原先策略，标准型内存比重进一步提升，并意图持续扩大行动式内存对外采购比重；由于三星的25奈米已经顺利量产出货，相较于SK海力士的29奈米以及美光的30奈米，显然成本结构领先同业水平，在2014年平均销售单价可能缓跌的前提下，三星的营业利益仍旧可以维持20%水位，无疑为产业获利最高的厂商。SK海力士受无锡厂大火影响，其市占由3Q13的28.5%微幅下降至23.8%，营业利益也约略减少约5%。然而该公司倾全力恢复产出，预计产能流失的冲击可望在今年首季全面回复。

在本次第四季营收市占报告中，TrendForce第二次将美光与日商尔必达合并计算，综合市占为28.7%，正式超越SK海力士成为排名第二。除此之外，同时受惠于价格上扬与成本下降两项因素，营业利益的成长超过10%，为产业之冠。美光集团2014年目标为逐渐导入尔必达技术为主的20奈米，预计正式量产时程约落在年末，若站在标准型内存的角度观察，新美光集团的产出比例将占总产业的三分之一强，对该市场的影响力将大幅增加。

台系厂部分，南科也积极转进30nm制程，其投片量已来到总产能近八成，即使第四季停止从华亚科取得晶圆，在营收上仍有9.5%的季成长。力晶在DRAM营收上仅有6%的成长，除了力晶已转型为代工业务为主外，去年下半年启动的P3厂DRAM业务，也是属于代工性质，不受DRAM价格波动影响，亦无法带动DRAM营收继续往上攀升。华邦则是受到火灾转单效应与传统旺季需求，营收成长约9.7%，其中利基型内存的成长约为11%，行动式内存也有5%的成长，今年华邦除了提升投片量至38K外，提升46nm制程转进比重亦是今年的重点，生产成本降低将有助第一季的获利表现。

从市场面来观察，TrendForce认为无锡厂的复工状况为牵动未来价格走势的最主要关键；由于每年首季都是需求淡季，加上产出增加 (三星的25奈米、美光的30奈米以及SK海力士无锡厂复工)，TrendForce仍维持原先的预估，价格将呈现缓跌态势，而跌幅将随着旺季来临而趋缓。后续获利能力的持盈保泰将有赖于制程转进，而产业供给面将有赖各DRAM厂商共同维持，不贸然进行扩厂计划；在以上前提成立之下，2014年的DRAM总产值可望进一步提升，并在后20nm时代来临之前为各家带来稳定的获利。

市场研究机构DRAMeXchange数据显示，今年第三季度三星电子、SK海力士等

韩国 企业的DRAM销售额达61.01亿美元，全球市场份额比第二季度上升5个百分点，达到67.7%。

其中，三星电子DRAM销售额为34.48亿美元，全球市场份额达37.1%，位居榜首。SK海力士销售额为26.53亿美元，以28.5%的市场份额位居第二。三星电子在全球市场的份额环比上升了4.4个百分点，但SK海力士则环比下降了1.5个百分点。DRAMeXchange分析认为，这主要是因为DRAM价格大涨时，SK海力士

中国 无锡工厂发生火灾，三星电子趁机增加DRAM生产量，“抢滩”市场。

另一方面，第三季度全球DRAM市场规模环比增长9%，达到93亿美元。DRAMeXchange预测，今年DRAM市场规模有望比去年增长40%。